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XP65SL380DH
MOSFET N-CH 650V 10A TO252
-
卷带式 (TR)
3000
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XP65SL380DH
XP65SL380DH
单 FET、MOSFET
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 650V 10A TO252
-
卷带式 (TR)
997
1
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商YAGEO XSEMI
系列XP65SL380D
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C10A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs380mOhm @ 3.2A, 10V
功耗(最大)2W (Ta), 78.1W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id5V @ 250µA
供应商设备包TO-252
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs52.8 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1860 pF @ 100 V

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