• image of 单 FET、MOSFET>XP3N1R0MT
  • image of 单 FET、MOSFET>XP3N1R0MT
XP3N1R0MT
FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
-
卷带式 (TR)
3000
image of 单 FET、MOSFET>XP3N1R0MT
image of 单 FET、MOSFET>XP3N1R0MT
XP3N1R0MT
XP3N1R0MT
单 FET、MOSFET
YAGEO XSEMI
FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
-
卷带式 (TR)
1000
1
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商YAGEO XSEMI
系列XP3N1R0
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerLDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C54.2A (Ta), 245A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs1.05mOhm @ 20A, 10V
功耗(最大)5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.2V @ 250µA
供应商设备包PMPAK® 5 x 6
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)30 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs120 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds12320 pF @ 15 V

长期收购IC芯片、二三极管、电子物料、工厂库存、代理库存、工厂呆滞料,专业团队核算BOM表清单,总单打包。国内外均可交货

captcha

+86-13288788831

点击这里给我发消息
0