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XP3C023AMT
MOSFET N AND P-CH 30V 12A 10A
-
卷带式 (TR)
3000
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XP3C023AMT
XP3C023AMT
FET、MOSFET 阵列
YAGEO XSEMI
MOSFET N AND P-CH 30V 12A 10A
-
卷带式 (TR)
1000
1
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商YAGEO XSEMI
系列XP3C023A
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerLDFN
安装类型Surface Mount
配置N and P-Channel
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大3.57W (Ta)
漏源电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C12A (Ta), 10A (Ta)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2320pF @ 15V, 2480pF @ 15V
Rds On(最大)@Id、Vgs10.4mOhm @ 10A, 10V, 23.5mOhm @ 7.5A, 10V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs19.2nC @ 4.5V, 21.6nC @ 4.5V
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 1mA
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