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W987D2HBJX7E TR
IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
-
卷带式 (TR)
2500
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W987D2HBJX7E TR
W987D2HBJX7E TR
记忆
Winbond Electronics Corporation
IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
-
卷带式 (TR)
0
1
产品参数
产品说明
类型描述
制造商Winbond Electronics Corporation
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态OBSOLETE
包装/箱90-TFBGA
安装类型Surface Mount
内存大小128Mbit
内存类型Volatile
工作温度-25°C ~ 85°C (TC)
电压 - 电源1.7V ~ 1.95V
技术SDRAM - Mobile LPSDR
时钟频率133 MHz
内存格式DRAM
供应商设备包90-VFBGA (8x13)
写入周期时间 - 字、页15ns
内存接口Parallel
存取时间5.4 ns
记忆组织4M x 32
DigiKey 可编程Not Verified

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