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类型 | 描述 |
制造商 | UnitedSiC (Qorvo) |
系列 | - |
包装 | 管子 |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | TO-247-4 |
安装类型 | Through Hole |
工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
技术 | SiCFET (Cascode SiCJFET) |
场效应管类型 | N-Channel |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 37.4A (Tc) |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 56mOhm @ 25A, 12V |
功耗(最大) | 203W (Tc) |
Vgs(th)(最大值)@Id | 6V @ 10mA |
供应商设备包 | TO-247-4 |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 12V |
Vgs(最大) | ±20V |
漏源电压 (Vdss) | 750 V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 37.8 nC @ 15 V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 1400 pF @ 400 V |
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