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TRS12V65H,LQ
G3 SIC-SBD 650V 12A DFN8X8
-
卷带式 (TR)
2500
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TRS12V65H,LQ
TRS12V65H,LQ
单二极管
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
G3 SIC-SBD 650V 12A DFN8X8
-
卷带式 (TR)
4962
1
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱4-VSFN Exposed Pad
安装类型Surface Mount
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间 (trr)0 ns
技术SiC (Silicon Carbide) Schottky
电容@Vr, F778pF @ 1V, 1MHz
电流 - 平均整流 (Io)12A
供应商设备包4-DFN-EP (8x8)
工作温度 - 结175°C
电压 - 直流反向 (Vr)(最大)650 V
电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If1.35 V @ 12 A
电流 - 反向漏电流@Vr120 µA @ 650 V

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