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类型 | 描述 |
制造商 | Transphorm |
系列 | - |
包装 | 管子 |
产品状态 | NOT_FOR_NEW_DESIGNS |
包装/箱 | TO-220-3 |
安装类型 | Through Hole |
工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
场效应管类型 | N-Channel |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 180mOhm @ 11A, 8V |
功耗(最大) | 96W (Tc) |
Vgs(th)(最大值)@Id | 2.6V @ 500µA |
供应商设备包 | TO-220AB |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 10V |
Vgs(最大) | ±18V |
漏源电压 (Vdss) | 600 V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 9.3 nC @ 4.5 V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 760 pF @ 480 V |
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