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TPH3206LDG-TR
GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN
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托盘
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TPH3206LDG-TR
TPH3206LDG-TR
单 FET、MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN
-
托盘
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产品参数
产品说明
PDF(1)
PDF(2)
类型描述
制造商Transphorm
系列-
包装托盘
产品状态OBSOLETE
包装/箱3-PowerDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C17A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs180mOhm @ 11A, 8V
功耗(最大)96W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.6V @ 500µA
供应商设备包3-PQFN (8x8)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)8V
Vgs(最大)±18V
漏源电压 (Vdss)600 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs9.3 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds760 pF @ 480 V

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