• image of FET、MOSFET 阵列>TPD3215M
  • image of FET、MOSFET 阵列>TPD3215M
TPD3215M
GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
-
散装
1
image of FET、MOSFET 阵列>TPD3215M
image of FET、MOSFET 阵列>TPD3215M
TPD3215M
TPD3215M
FET、MOSFET 阵列
Transphorm
GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
-
散装
0
产品参数
产品说明
PDF(1)
PDF(2)
类型描述
制造商Transphorm
系列-
包裹散装
产品状态OBSOLETE
包装/箱Module
安装类型Through Hole
配置2 N-Channel (Half Bridge)
工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
功率 - 最大470W
漏源电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C70A (Tc)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2260pF @ 100V
Rds On(最大)@Id、Vgs34mOhm @ 30A, 8V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs28nC @ 8V
供应商设备包Module

长期收购IC芯片、二三极管、电子物料、工厂库存、代理库存、工厂呆滞料,专业团队核算BOM表清单,总单打包。国内外均可交货

captcha

+86-13288788831

点击这里给我发消息
0