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TP65H150G4LSG
GAN FET N-CH 650V PQFN
-
托盘
3000
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TP65H150G4LSG
TP65H150G4LSG
单 FET、MOSFET
Transphorm
GAN FET N-CH 650V PQFN
-
托盘
2834
产品参数
产品说明
类型描述
制造商Transphorm
系列-
包装托盘
产品状态ACTIVE
包装/箱3-PowerTDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C13A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs180mOhm @ 8.5A, 10V
功耗(最大)52W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.8V @ 500µA
供应商设备包3-PQFN (8x8)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs8 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds598 pF @ 400 V

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