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TP44100SG
GAN FET HEMT 650V .118OHM 22QFN
-
卷带式 (TR)
3000
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TP44100SG
TP44100SG
单 FET、MOSFET
Tagore Technology
GAN FET HEMT 650V .118OHM 22QFN
-
卷带式 (TR)
2969
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商Tagore Technology
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱22-PowerVFQFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C19A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs118mOhm @ 500mA, 6V
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 11mA
供应商设备包22-QFN (5x7)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)0V, 6V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs3 nC @ 6 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds110 pF @ 400 V

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