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TC58BYG1S3HBAI6
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 67VFBGA
-
托盘
338
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TC58BYG1S3HBAI6
TC58BYG1S3HBAI6
记忆
Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 67VFBGA
-
托盘
338
1
产品参数
产品说明
类型描述
制造商Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
系列Benand™
包裹托盘
产品状态ACTIVE
包装/箱67-VFBGA
安装类型Surface Mount
内存大小2Gbit
内存类型Non-Volatile
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
电压 - 电源1.7V ~ 1.95V
技术FLASH - NAND (SLC)
内存格式FLASH
供应商设备包67-VFBGA (6.5x8)
写入周期时间 - 字、页25ns
内存接口Parallel
存取时间25 ns
记忆组织256M x 8
DigiKey 可编程Not Verified

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