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STS5DNF20V
MOSFET 2N-CH 20V 5A 8SOIC
-
卷带式 (TR)
2500
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STS5DNF20V
STS5DNF20V
FET、MOSFET 阵列
STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 20V 5A 8SOIC
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卷带式 (TR)
0
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产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商STMicroelectronics
系列STripFET™ II
包裹卷带式 (TR)
产品状态OBSOLETE
包装/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
安装类型Surface Mount
配置2 N-Channel (Dual)
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大2W
漏源电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C5A
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds460pF @ 25V
Rds On(最大)@Id、Vgs40mOhm @ 2.5A, 4.5V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs11.5nC @ 4.5V
场效应管特性Logic Level Gate
Vgs(th)(最大值)@Id600mV @ 250µA
供应商设备包8-SOIC

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