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STF19NM65N
MOSFET N-CH 650V 15.5A TO220FP
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管子
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STF19NM65N
STF19NM65N
单 FET、MOSFET
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 15.5A TO220FP
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管子
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产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II
包裹管子
产品状态OBSOLETE
包装/箱TO-220-3 Full Pack
安装类型Through Hole
工作温度150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C15.5A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs270mOhm @ 7.75A, 10V
功耗(最大)35W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4V @ 250µA
供应商设备包TO-220FP
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±25V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs55 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1900 pF @ 50 V

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