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STB15NM60N
MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
-
卷带式 (TR)
1000
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STB15NM60N
STB15NM60N
单 FET、MOSFET
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
-
卷带式 (TR)
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1
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II
包裹卷带式 (TR)
产品状态OBSOLETE
包装/箱TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C14A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs299mOhm @ 7A, 10V
功耗(最大)125W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4V @ 250µA
供应商设备包D2PAK
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±25V
漏源电压 (Vdss)600 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs37 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1250 pF @ 50 V

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