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SSM14N956L,EFF
MOSFET 2N-CH 12V 20A TCSPED
-
卷带式 (TR)
10000
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SSM14N956L,EFF
SSM14N956L,EFF
FET、MOSFET 阵列
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
MOSFET 2N-CH 12V 20A TCSPED
-
卷带式 (TR)
9855
1
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱14-SMD, No Lead
安装类型Surface Mount
配置2 N-Channel
工作温度150°C
技术MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大1.33W (Ta)
漏源电压 (Vdss)12V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C20A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs1.35mOhm @ 10A, 4.5V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs76nC @ 4V
Vgs(th)(最大值)@Id1.4V @ 1.57mA
供应商设备包TCSPED-302701

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