• image of 单 FET、MOSFET>SQJQ184E-T1_GE3
  • image of 单 FET、MOSFET>SQJQ184E-T1_GE3
  • image of 单 FET、MOSFET>SQJQ184E-T1_GE3
  • image of 单 FET、MOSFET>SQJQ184E-T1_GE3
SQJQ184E-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
-
卷带式 (TR)
2000
image of 单 FET、MOSFET>SQJQ184E-T1_GE3
image of 单 FET、MOSFET>SQJQ184E-T1_GE3
image of 单 FET、MOSFET>SQJQ184E-T1_GE3
SQJQ184E-T1_GE3
SQJQ184E-T1_GE3
单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
-
卷带式 (TR)
3039
1
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列TrenchFET®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱PowerPAK® 8 x 8
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C430A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs1.4mOhm @ 20A, 10V
功耗(最大)600W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id3.5V @ 250µA
供应商设备包PowerPAK® 8 x 8
年级Automotive
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)80 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs272 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds16010 pF @ 25 V
资质AEC-Q101

长期收购IC芯片、二三极管、电子物料、工厂库存、代理库存、工厂呆滞料,专业团队核算BOM表清单,总单打包。国内外均可交货

captcha

+86-13288788831

点击这里给我发消息
0