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SIS9634LDN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 6A PPAK 1212
-
卷带式 (TR)
3000
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SIS9634LDN-T1-GE3
SIS9634LDN-T1-GE3
FET、MOSFET 阵列
Vishay / Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 6A PPAK 1212
-
卷带式 (TR)
11830
1
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列TrenchFET®
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱PowerPAK® 1212-8 Dual
安装类型Surface Mount
配置2 N-Channel (Dual)
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大2.5W (Ta), 17.9W (Tc)
漏源电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C6A (Ta), 6A (Tc)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds420pF @ 30V
Rds On(最大)@Id、Vgs31mOhm @ 5A, 10V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs11nC @ 10V
Vgs(th)(最大值)@Id3V @ 250µA
供应商设备包PowerPAK® 1212-8 Dual

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