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SIRA54ADP-T1-RE3
N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
-
卷带式 (TR)
3000
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SIRA54ADP-T1-RE3
SIRA54ADP-T1-RE3
单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
-
卷带式 (TR)
6000
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列TrenchFET®
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱PowerPAK® SO-8
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C36.2A (Ta), 128A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs2.2mOhm @ 15A, 10V
功耗(最大)5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 250µA
供应商设备包PowerPAK® SO-8
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)+20V, -16V
漏源电压 (Vdss)40 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs70 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds3850 pF @ 20 V

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