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SIHK085N60EF-T1GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
-
卷带式 (TR)
2000
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SIHK085N60EF-T1GE3
SIHK085N60EF-T1GE3
单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
-
卷带式 (TR)
2000
1
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列EF
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerBSFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C30A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs85mOhm @ 17A, 10V
功耗(最大)184W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id5V @ 250µA
供应商设备包PowerPAK®10 x 12
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±30V
漏源电压 (Vdss)600 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs63 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2733 pF @ 100 V

长期收购IC芯片、二三极管、电子物料、工厂库存、代理库存、工厂呆滞料,专业团队核算BOM表清单,总单打包。国内外均可交货

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