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SIHA150N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
-
管子
1000
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SIHA150N60E-GE3
SIHA150N60E-GE3
单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
-
管子
2000
1
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列E
包装管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-220-3 Full Pack
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C9A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs155mOhm @ 10A, 10V
功耗(最大)179W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id5V @ 250µA
供应商设备包TO-220 Full Pack
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±30V
漏源电压 (Vdss)600 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs36 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1514 pF @ 100 V

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