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SIGC11T60SNCX1SA2
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
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散装
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SIGC11T60SNCX1SA2
SIGC11T60SNCX1SA2
单 IGBT
IR (Infineon Technologies)
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
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散装
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产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商IR (Infineon Technologies)
系列-
包裹散装
产品状态OBSOLETE
包装/箱Die
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
输入类型Standard
Vce(on)(最大值)@Vge, Ic2.4V @ 15V, 10A
供应商设备包Die
IGBT类型NPT
Td(开/关)@ 25°C28ns/198ns
测试条件400V, 10A, 25Ohm, 15V
集电极电流 (Ic)(最大)10 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)600 V
集电极脉冲电流 (Icm)30 A

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