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类型 | 描述 |
制造商 | ROHM Semiconductor |
系列 | - |
包装 | 卷带式 (TR) |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
安装类型 | Surface Mount |
工作温度 | 175°C (TJ) |
技术 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
场效应管类型 | N-Channel |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 81mOhm @ 12A, 18V |
Vgs(th)(最大值)@Id | 4.8V @ 6.45mA |
供应商设备包 | TO-263-7LA |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 18V |
Vgs(最大) | +21V, -4V |
漏源电压 (Vdss) | 1200 V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 64 nC @ 18 V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 1498 pF @ 800 V |
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