• image of 单 FET、MOSFET>SCT012H90G3AG
  • image of 单 FET、MOSFET>SCT012H90G3AG
SCT012H90G3AG
H2PAK-7
-
卷带式 (TR)
1000
image of 单 FET、MOSFET>SCT012H90G3AG
image of 单 FET、MOSFET>SCT012H90G3AG
SCT012H90G3AG
SCT012H90G3AG
单 FET、MOSFET
STMicroelectronics
H2PAK-7
-
卷带式 (TR)
0
1
产品参数
产品说明
类型描述
制造商STMicroelectronics
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C110A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs15.8mOhm @ 60A, 18V
功耗(最大)625W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.2V @ 10mA
供应商设备包H2PAK-7
年级Automotive
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)15V, 18V
Vgs(最大)+18V, -5V
漏源电压 (Vdss)900 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs138 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds3880 pF @ 600 V
资质AEC-Q101

长期收购IC芯片、二三极管、电子物料、工厂库存、代理库存、工厂呆滞料,专业团队核算BOM表清单,总单打包。国内外均可交货

captcha

+86-13288788831

点击这里给我发消息
0