• image of 单个预偏置双极晶体管>RN2118MFV(TPL3)
  • image of 单个预偏置双极晶体管>RN2118MFV(TPL3)
RN2118MFV(TPL3)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
-
切带 (CT)
8000
image of 单个预偏置双极晶体管>RN2118MFV(TPL3)
image of 单个预偏置双极晶体管>RN2118MFV(TPL3)
RN2118MFV(TPL3)
RN2118MFV(TPL3)
单个预偏置双极晶体管
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
-
切带 (CT)
3000
1
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
系列-
包裹切带 (CT)
产品状态ACTIVE
包装/箱SOT-723
安装类型Surface Mount
晶体管类型PNP - Pre-Biased
Vce 饱和度(最大值)@Ib、Ic300mV @ 500µA, 5mA
电流 - 集电极截止(最大)500nA
直流电流增益 (hFE)(最小值)@ Ic、Vce50 @ 10mA, 5V
供应商设备包VESM
集电极电流 (Ic)(最大)100 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)50 V
功率 - 最大150 mW
电阻器 - 基极 (R1)47 kOhms
电阻器 - 发射极基极 (R2)10 kOhms

长期收购IC芯片、二三极管、电子物料、工厂库存、代理库存、工厂呆滞料,专业团队核算BOM表清单,总单打包。国内外均可交货

captcha

+86-13288788831

点击这里给我发消息
0