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QS1200SCM36
1200V 36AMP SiC Mosfet
-
管子
10
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QS1200SCM36
QS1200SCM36
单 FET、MOSFET
Quest Semi
1200V 36AMP SiC Mosfet
-
管子
977
1
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商Quest Semi
系列-
包装管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-247-3
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 175°C
技术SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C36A
Rds On(最大)@Id、Vgs100mOhm @ 20A, 20V
功耗(最大)198W
Vgs(th)(最大值)@Id3.8V @ 100µA
供应商设备包PG-TO247-3
年级Automotive
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)2.8V
Vgs(最大)+25V, -10V
漏源电压 (Vdss)1200 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs60 nC @ 600 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1001 pF @ 800 V

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