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类型 | 描述 |
制造商 | Quest Semi |
系列 | - |
包装 | 管子 |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | TO-247-3 |
安装类型 | Through Hole |
工作温度 | -55°C ~ 175°C |
技术 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
场效应管类型 | N-Channel |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 36A |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 100mOhm @ 20A, 20V |
功耗(最大) | 198W |
Vgs(th)(最大值)@Id | 3.8V @ 100µA |
供应商设备包 | PG-TO247-3 |
年级 | Automotive |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 2.8V |
Vgs(最大) | +25V, -10V |
漏源电压 (Vdss) | 1200 V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 60 nC @ 600 V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 1001 pF @ 800 V |
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