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NXH003P120M3F2PTNG
SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
-
托盘
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NXH003P120M3F2PTNG
NXH003P120M3F2PTNG
FET、MOSFET 阵列
Sanyo Semiconductor/onsemi
SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
-
托盘
20
1
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商Sanyo Semiconductor/onsemi
系列-
包裹托盘
产品状态ACTIVE
包装/箱Module
安装类型Chassis Mount
配置2 N-Channel (Half Bridge)
工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
技术Silicon Carbide (SiC)
功率 - 最大1.48kW (Tj)
漏源电压 (Vdss)1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C435A (Tj)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds20889pF @ 800V
Rds On(最大)@Id、Vgs5mOhm @ 200A, 18V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs1200nC @ 20V
Vgs(th)(最大值)@Id4.4V @ 160mA
供应商设备包36-PIM (56.7x62.8)

长期收购IC芯片、二三极管、电子物料、工厂库存、代理库存、工厂呆滞料,专业团队核算BOM表清单,总单打包。国内外均可交货

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