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NE68819-T1-A
NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCILL
-
卷带式 (TR)
3000
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NE68819-T1-A
NE68819-T1-A
双极射频晶体管
CEL (California Eastern Laboratories)
NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCILL
-
卷带式 (TR)
63000
1
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商CEL (California Eastern Laboratories)
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态OBSOLETE
包装/箱SC-75, SOT-416
安装类型Surface Mount
晶体管类型NPN
工作温度150°C (TJ)
获得8dB
功率 - 最大125mW
集电极电流 (Ic)(最大)100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)6V
直流电流增益 (hFE)(最小值)@ Ic、Vce80 @ 3mA, 1V
频率-转变9GHz
噪声系数(dB Typ @ f)1.7dB @ 2GHz
供应商设备包SC-75 (USM)

长期收购IC芯片、二三极管、电子物料、工厂库存、代理库存、工厂呆滞料,专业团队核算BOM表清单,总单打包。国内外均可交货

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