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MV2N5115UB/TR
JFET P-CH 30V UB
-
卷带式 (TR)
100
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MV2N5115UB/TR
MV2N5115UB/TR
JFET
Roving Networks (Microchip Technology)
JFET P-CH 30V UB
-
卷带式 (TR)
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产品参数
产品说明
类型描述
制造商Roving Networks (Microchip Technology)
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱3-SMD, No Lead
安装类型Surface Mount
工作温度-65°C ~ 200°C (TJ)
场效应管类型P-Channel
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds25pF @ 15V
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)30 V
供应商设备包UB
年级Military
漏源电压 (Vdss)30 V
功率 - 最大500 mW
电阻 - RDS(On)100 Ohms
电压 - 截止(VGS 关闭)@ Id3 V @ 1 nA
电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)15 mA @ 15 V
资质MIL-PRF-19500

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