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MSRT200120D
DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
-
散装
40
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MSRT200120D
MSRT200120D
二极管阵列
GeneSiC Semiconductor
DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
-
散装
0
1
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
包装散装
产品状态ACTIVE
包装/箱Three Tower
安装类型Chassis Mount
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
技术Standard
二极管配置1 Pair Series Connection
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)200A
供应商设备包Three Tower
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C
电压 - 直流反向 (Vr)(最大)1200 V
电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If1.1 V @ 200 A
电流 - 反向漏电流@Vr10 µA @ 1600 V

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