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K6F2016U4E-EF70T
SRAM ASYNC SLOW 2M 128Kx16 3.3V
-
卷带式 (TR)
100
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K6F2016U4E-EF70T
K6F2016U4E-EF70T
记忆
Samsung Semiconductor
SRAM ASYNC SLOW 2M 128Kx16 3.3V
-
卷带式 (TR)
2127
产品参数
产品说明
类型描述
制造商Samsung Semiconductor
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态OBSOLETE
安装类型Surface Mount
内存大小2Mbit
内存类型Volatile
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
电压 - 电源2.7V ~ 3.6V
技术SRAM - Asynchronous
内存格式SRAM
供应商设备包48-TFBGA (6x7)
写入周期时间 - 字、页70ns
内存接口Parallel
记忆组织128K x 16
DigiKey 可编程Not Verified

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