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IV1Q12050T4
SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
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管子
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IV1Q12050T4
IV1Q12050T4
单 FET、MOSFET
Inventchip Technology
SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
-
管子
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产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商Inventchip Technology
系列-
包装管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-247-4
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术SiCFET (Silicon Carbide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C58A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs65mOhm @ 20A, 20V
功耗(最大)344W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id3.2V @ 6mA
供应商设备包TO-247-4
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)20V
Vgs(最大)+20V, -5V
漏源电压 (Vdss)1200 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs120 nC @ 20 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2750 pF @ 800 V

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