• image of 记忆>IS43DR16320E-25DBLI-TR
  • image of 记忆>IS43DR16320E-25DBLI-TR
IS43DR16320E-25DBLI-TR
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
-
卷带式 (TR)
2500
image of 记忆>IS43DR16320E-25DBLI-TR
image of 记忆>IS43DR16320E-25DBLI-TR
IS43DR16320E-25DBLI-TR
IS43DR16320E-25DBLI-TR
记忆
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
-
卷带式 (TR)
0
1
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱84-TFBGA
安装类型Surface Mount
内存大小512Mbit
内存类型Volatile
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
电压 - 电源1.7V ~ 1.9V
技术SDRAM - DDR2
时钟频率400 MHz
内存格式DRAM
供应商设备包84-TWBGA (8x12.5)
写入周期时间 - 字、页15ns
内存接口Parallel
存取时间400 ps
记忆组织32M x 16
DigiKey 可编程Not Verified

长期收购IC芯片、二三极管、电子物料、工厂库存、代理库存、工厂呆滞料,专业团队核算BOM表清单,总单打包。国内外均可交货

captcha

+86-13288788831

点击这里给我发消息
0