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IRL40T209ATMA2
TRENCH <= 40V
-
卷带式 (TR)
2000
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IRL40T209ATMA2
IRL40T209ATMA2
单 FET、MOSFET
IR (Infineon Technologies)
TRENCH <= 40V
-
卷带式 (TR)
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产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商IR (Infineon Technologies)
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerSFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C300A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs0.72mOhm @ 100A, 10V
功耗(最大)500W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.4V @ 250µA
供应商设备包PG-HSOF-8-1
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)40 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs269 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds16000 pF @ 20 V

长期收购IC芯片、二三极管、电子物料、工厂库存、代理库存、工厂呆滞料,专业团队核算BOM表清单,总单打包。国内外均可交货

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