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IRF6643TRPBFXTMA1
TRENCH >=100V
-
卷带式 (TR)
4800
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IRF6643TRPBFXTMA1
IRF6643TRPBFXTMA1
单 FET、MOSFET
IR (Infineon Technologies)
TRENCH >=100V
-
卷带式 (TR)
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产品参数
产品说明
类型描述
制造商IR (Infineon Technologies)
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱DirectFET™ Isometric MZ
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C6.2A (Ta), 35A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs34.5mOhm @ 7.6A, 10V
功耗(最大)2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.9V @ 150µA
供应商设备包DirectFET™ Isometric MZ
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)150 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs55 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2340 pF @ 25 V

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