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IMBG65R015M2HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
-
卷带式 (TR)
1000
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IMBG65R015M2HXTMA1
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单 FET、MOSFET
IR (Infineon Technologies)
SILICON CARBIDE MOSFET
-
卷带式 (TR)
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产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商IR (Infineon Technologies)
系列CoolSiC™ Gen 2
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术SiCFET (Silicon Carbide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C115A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs18mOhm @ 64.2A, 18V
功耗(最大)416W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id5.6V @ 13mA
供应商设备包PG-TO263-7-12
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)15V, 20V
Vgs(最大)+23V, -7V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs79 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2792 pF @ 400 V

长期收购IC芯片、二三极管、电子物料、工厂库存、代理库存、工厂呆滞料,专业团队核算BOM表清单,总单打包。国内外均可交货

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