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ICE19N60L
Superjunction MOSFET
-
卷带式 (TR)
3000
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ICE19N60L
ICE19N60L
单 FET、MOSFET
IceMOS Technology
Superjunction MOSFET
-
卷带式 (TR)
6000
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商IceMOS Technology
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱4-PowerTSFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C19A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs220mOhm @ 9.5A, 10V
功耗(最大)236W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id3.9V @ 250µA
供应商设备包4-DFN (8x8)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)600 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs59 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2064 pF @ 25 V

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