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GT016N10TL
MOSFET N-CH 100V 362A TOLL-8
-
卷带式 (TR)
2000
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GT016N10TL
GT016N10TL
单 FET、MOSFET
Goford Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 362A TOLL-8
-
卷带式 (TR)
2000
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产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerSFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C362A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs1.6mOhm @ 15A, 10V
功耗(最大)450W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.5V @ 250µA
供应商设备包TOLL
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)100 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs165 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds10037 pF @ 50 V

长期收购IC芯片、二三极管、电子物料、工厂库存、代理库存、工厂呆滞料,专业团队核算BOM表清单,总单打包。国内外均可交货

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