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GPI65060DFC
GaNFET N-CH 650V 60A DFN8x8 cu
-
卷带式 (TR)
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GPI65060DFC
GPI65060DFC
单 FET、MOSFET
GaNPower
GaNFET N-CH 650V 60A DFN8x8 cu
-
卷带式 (TR)
100
1
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商GaNPower
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-DFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C60A
Rds On(最大)@Id、Vgs30mOhm @ 6A, 12V
Vgs(th)(最大值)@Id1.2V @ 3.5mA
供应商设备包8-DFN (8x8)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)6V
Vgs(最大)+7.5V, -12V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs16 nC @ 6 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds420 pF @ 400 V

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