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类型 | 描述 |
制造商 | GaNPower |
系列 | - |
包装 | 卷带式 (TR) |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | Die |
安装类型 | Surface Mount |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
场效应管类型 | N-Channel |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 15A |
Vgs(th)(最大值)@Id | 1.2V @ 3.5mA |
供应商设备包 | Die |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 6V |
Vgs(最大) | +7.5V, -12V |
漏源电压 (Vdss) | 650 V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 3.3 nC @ 6 V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 116 pF @ 400 V |
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