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GPI65010DF56
GANFET N-CH 650V 10A DFN 5X6
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卷带式 (TR)
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单 FET、MOSFET
GaNPower
GANFET N-CH 650V 10A DFN 5X6
-
卷带式 (TR)
283
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商GaNPower
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱Die
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C10A
Vgs(th)(最大值)@Id1.4V @ 3.5mA
供应商设备包Die
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)6V
Vgs(最大)+7.5V, -12V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs2.6 nC @ 6 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds90 pF @ 400 V

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