• image of 单 FET、MOSFET>GPI65008DF56
  • image of 单 FET、MOSFET>GPI65008DF56
  • image of 单 FET、MOSFET>GPI65008DF56
  • image of 单 FET、MOSFET>GPI65008DF56
GPI65008DF56
GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6
-
卷带式 (TR)
1
image of 单 FET、MOSFET>GPI65008DF56
image of 单 FET、MOSFET>GPI65008DF56
image of 单 FET、MOSFET>GPI65008DF56
GPI65008DF56
GPI65008DF56
单 FET、MOSFET
GaNPower
GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6
-
卷带式 (TR)
100
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商GaNPower
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱Die
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C8A
Vgs(th)(最大值)@Id1.4V @ 3.5mA
供应商设备包Die
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)6V
Vgs(最大)+7.5V, -12V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs2.1 nC @ 6 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds63 pF @ 400 V

长期收购IC芯片、二三极管、电子物料、工厂库存、代理库存、工厂呆滞料,专业团队核算BOM表清单,总单打包。国内外均可交货

captcha

+86-13288788831

点击这里给我发消息
0