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G3R60MT07J-TR
650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
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卷带式 (TR)
800
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G3R60MT07J-TR
G3R60MT07J-TR
单 FET、MOSFET
GeneSiC Semiconductor
650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
-
卷带式 (TR)
800
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产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商GeneSiC Semiconductor
系列G3R™, LoRing™
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C44A (Tc)
功耗(最大)182W (Tc)
供应商设备包TO-263-7
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)15V
漏源电压 (Vdss)750 V

长期收购IC芯片、二三极管、电子物料、工厂库存、代理库存、工厂呆滞料,专业团队核算BOM表清单,总单打包。国内外均可交货

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