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G3K8N15HE
MOSFET N-CH ESD 150V 2A SOT-223
-
卷带式 (TR)
2500
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G3K8N15HE
G3K8N15HE
单 FET、MOSFET
Goford Semiconductor
MOSFET N-CH ESD 150V 2A SOT-223
-
卷带式 (TR)
5000
1
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-261-4, TO-261AA
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C2A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs370mOhm @ 2A, 10V
功耗(最大)2.16W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 250µA
供应商设备包SOT-223
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)150 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs20 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds558 pF @ 75 V

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