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G06N06S
N60V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
-
卷带式 (TR)
4000
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G06N06S
G06N06S
单 FET、MOSFET
Goford Semiconductor
N60V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
-
卷带式 (TR)
6142
1
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列TrenchFET®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C8A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs22mOhm @ 6A, 10V
功耗(最大)2.1W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.4V @ 250µA
供应商设备包8-SOP
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)60 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs46 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1600 pF @ 30 V

长期收购IC芯片、二三极管、电子物料、工厂库存、代理库存、工厂呆滞料,专业团队核算BOM表清单,总单打包。国内外均可交货

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