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FDZ663P
FDZ663P - FDZ663P - MOSFET P-CHA
-
散装
1025
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FDZ663P
FDZ663P
单 FET、MOSFET
Fairchild Semiconductor
FDZ663P - FDZ663P - MOSFET P-CHA
-
散装
60000
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商Fairchild Semiconductor
系列PowerTrench®
包装散装
产品状态ACTIVE
包装/箱4-XFBGA, WLCSP
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型P-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C2.7A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs134mOhm @ 2A, 4.5V
功耗(最大)1.3W (Ta)
Vgs(th)(最大值)@Id1.2V @ 250µA
供应商设备包4-WLCSP (0.8x0.8)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)1.5V, 4.5V
Vgs(最大)±8V
漏源电压 (Vdss)20 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs8.2 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds525 pF @ 10 V

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