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FBG20N18BSH
GAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B
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散装
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FBG20N18BSH
FBG20N18BSH
单 FET、MOSFET
EPC Space
GAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B
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散装
51
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商EPC Space
系列e-GaN®
包装散装
产品状态ACTIVE
包装/箱4-SMD, No Lead
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C18A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs28mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 3mA
供应商设备包4-SMD
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)5V
Vgs(最大)+6V, -4V
漏源电压 (Vdss)200 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs7 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds900 pF @ 100 V

长期收购IC芯片、二三极管、电子物料、工厂库存、代理库存、工厂呆滞料,专业团队核算BOM表清单,总单打包。国内外均可交货

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