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类型 | 描述 |
制造商 | EPC Space |
系列 | eGaN® |
包装 | 散装 |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | 4-SMD, No Lead |
安装类型 | Surface Mount |
配置 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
漏源电压 (Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 1700pF @ 50V |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 6.5mOhm @ 70A, 5V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 17nC @ 5V |
Vgs(th)(最大值)@Id | 2.5V @ 5mA |
供应商设备包 | 4-SMD |
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