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EPC2108
EPC
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
-
卷带式 (TR)
2500
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EPC2108
EPC2108
FET、MOSFET 阵列
EPC
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
-
卷带式 (TR)
973
1
产品参数
产品说明
PDF(1)
PDF(2)
PDF(3)
PDF(4)
类型描述
制造商EPC
系列eGaN®
包裹卷带式 (TR)
产品状态OBSOLETE
包装/箱9-VFBGA
安装类型Surface Mount
配置3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压 (Vdss)60V, 100V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C1.7A, 500mA
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On(最大)@Id、Vgs190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
供应商设备包9-BGA (1.35x1.35)

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