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EPC2014C
EPC
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
-
卷带式 (TR)
2500
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EPC2014C
EPC2014C
单 FET、MOSFET
EPC
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
-
卷带式 (TR)
52011
1
产品参数
产品说明
PDF(1)
PDF(2)
PDF(3)
类型描述
制造商EPC
系列eGaN®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱Die
安装类型Surface Mount
工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C10A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 2mA
供应商设备包Die
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)5V
Vgs(最大)+6V, -4V
漏源电压 (Vdss)40 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs2.5 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds300 pF @ 20 V

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